Aplicaciones de los Transistores FET

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APLICACIÓN
PRINCIPAL VENTAJA
USOS
Aislador o separador (buffer)
Impedancia de entrada alta y de salida baja
Uso general, equipo de medida, receptores
Amplificador de RF
Bajo ruido
Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
Mezclador
Baja distorsión de intermodulación
Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
Amplificador con CAG
Facilidad para controlar ganancia
Receptores, generadores de señales
Amplificador cascodo
Baja capacidad de entrada
Instrumentos de medición, equipos de prueba
Troceador
Ausencia de deriva
Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección
Resistor variable por voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono
Amplificador de baja frecuencia
Capacidad pequeña de acoplamiento
Audífonos para sordera, transductores inductivos
Oscilador
Mínima variación de frecuencia
Generadores de frecuencia patrón, receptores
Circuito MOS digital
Pequeño tamaño
Integración en gran escala, computadores, memorias

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Historia de los transistores FET

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El físico austrohúngaro Julius Lilienfeld solicitó en Canadá en el año 1925 ​ una patente para "un método y un aparato para controlar corrientes eléctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld también solicitó patentes en los Estados Unidos en los años 1926 y 1928 ​ pero no public ó art í culo alguno de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad aún no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930. Primer Transistor de Walter Brattain y John Bardeen En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen ​ y de manera independiente, por los alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mien
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Tipos de Transistores FET

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El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del MOSFET de enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:         El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).          El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n           El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.         En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el ais
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