Tipos de Transistores FET
El canal de un FET es dopado para
producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenaje y la fuente
deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del MOSFET de
enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del MOSFET de
agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por
el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los
transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la
puerta:
El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).
El JFET
(Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
El MESFET (Metal-Semiconductor Field
Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.
En el HEMT (High Electron Mobility
Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de
material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el
cuerpo del transistor.
Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
Los IGBT (Insulated-gate bipolar
transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comúnmente usados
cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así
los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de
tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
Los FREDFET es un FET especializado
diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.
Los DNAFET es un tipo
especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de
moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.
Los TFT, que hacen uso de silicio
amorfo o de silicio policristalino.
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