¿Qué es un Transistor FET?
El transistor de efecto
campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que
usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto,
la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador
de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar.
Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta
(gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente
a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el voltaje aplicado entre la
puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como
los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de
los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del tipo de material del cual se
compone el canal del dispositivo.
El transistor de efecto
campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que
usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto,
la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador
de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar.
Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta
(gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente
a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que, en el FET, el voltaje aplicado entre la
puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como
los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de
los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del tipo de material del cual se
compone el canal del dispositivo.
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